制造商型号： | IRFB3206PBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRFB3206PBF
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IRFB3206PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFB3206PBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3206PBF SP001566480
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.75901 | 14.76 |
| 10 | 13.255367 | 132.55 |
| 100 | 10.656449 | 1065.64 |
| 500 | 8.7552 | 4377.60 |
| 1000 | 7.254331 | 7254.33 |
品牌其他型号
IRFB3206PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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