制造商型号： | FQA19N60 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多FQA19N60价格库存等采购信息！ |
ON(安森美) FQA19N60
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
FQA19N60 中文资料
数据手册PDF
FQA19N60 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 135 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 210 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 65 ns
外形参数
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQA19N60_NL
单位重量 4.600 g
品牌其他型号
FQA19N60品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购FQA19N60、查询FQA19N60代理商； FQA19N60价格批发咨询客服；这里拥有
FQA19N60中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
FQA19N60替代型号
、
FQA19N60数据手册PDF。