制造商型号： | R6006KND3TL1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) R6006KND3TL1
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R6006KND3TL1 中文资料
数据手册PDF
R6006KND3TL1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 830 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 70 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 2663
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 26.296357 | 26.30 |
| 10 | 23.642707 | 236.43 |
| 100 | 19.004221 | 1900.42 |
| 500 | 15.614032 | 7807.02 |
| 1000 | 12.937327 | 12937.33 |
品牌其他型号
R6006KND3TL1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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