制造商型号: | DMP10H400SK3-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 100V 9A TO252 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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客服: | |
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DIODES(美台) DMP10H400SK3-13
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DMP10H400SK3-13 中文资料
数据手册PDF
DMP10H400SK3-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17.5 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 34.4 ns
上升时间 14.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 57.4 ns
典型接通延迟时间 9.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
DMP10H400SK3-13 同类别型号
库存: 66861
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.099467 | 8.10 |
10 | 6.978002 | 69.78 |
100 | 4.833514 | 483.35 |
500 | 4.038769 | 2019.38 |
1000 | 3.437291 | 3437.29 |
品牌其他型号
DMP10H400SK3-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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