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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -100 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V

表面贴装型 P 通道 9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3


立创商城:
P沟道 100V 9A


得捷:
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3


贸泽:
MOSFET 100V P-CH MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -100 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMP10H400SK3-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 42000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin TO-252 T/R


富昌:
Single P-Channel 100 V 300 mOhm 8.4 nC 42 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 9A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


儒卓力:
**P-CH -100V -9A 240mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 9A TO252


DMP10H400SK3-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 P-CH

耗散功率 42 W

输入电容 1239 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 14.9 ns

输入电容Ciss 1239pF @25VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 34.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.2 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMP10H400SK3-13引脚图与封装图
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DMP10H400SK3-13 Diodes 美台 晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -100 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V 搜索库存