制造商型号： | FCP190N60 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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ON(安森美) FCP190N60
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FCP190N60 中文资料
数据手册PDF
FCP190N60 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.236951 | 21.24 |
| 10 | 19.056052 | 190.56 |
| 100 | 15.613807 | 1561.38 |
| 500 | 13.291756 | 6645.88 |
| 1000 | 12.738596 | 12738.60 |
品牌其他型号
FCP190N60品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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