制造商型号: | RS1G180MNTB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RS1G180MNTB
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RS1G180MNTB 中文资料
数据手册PDF
RS1G180MNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19.5 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1G180MN
单位重量 771.020 mg
库存: 2232
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.027928 | 19.03 |
10 | 15.595439 | 155.95 |
100 | 12.134347 | 1213.43 |
500 | 10.284782 | 5142.39 |
1000 | 8.378135 | 8378.14 |
品牌其他型号
RS1G180MNTB品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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