RS1G180MNTB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RS1G180MNTB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 1293pF @20VVds
下降时间 8.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
外形尺寸
高度 1.05 mm
封装 HSOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RS1G180MNTB引脚图与封装图
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在线购买RS1G180MNTB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RS1G180MNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RS1G180MNTB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RS1G180MNTB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： HSOP-8 N-Channel 40V 18A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： DMN4009LK3-13 品牌： 美台 封装： TO-252AA N-CH 40V 27.6A | 功能相似 | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | RS1G180MNTB和DMN4009LK3-13的区别 |
| 型号： SIJ800DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerSO-5 N-Channel 40V 20A | 功能相似 | MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8 | RS1G180MNTB和SIJ800DP-T1-GE3的区别 |