制造商型号： | SI4431CDY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SI4431CDY-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SI4431CDY-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI4431CDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4431CDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 18 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4431CDY-GE3
单位重量 187 mg
库存： 28070
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.943574 | 9.94 |
| 10 | 8.712466 | 87.12 |
| 100 | 6.681136 | 668.11 |
| 500 | 5.281932 | 2640.97 |
| 1000 | 4.225547 | 4225.55 |
品牌其他型号
SI4431CDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI4431CDY-T1-GE3、查询SI4431CDY-T1-GE3代理商； SI4431CDY-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI4431CDY-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SI4431CDY-T1-GE3替代型号
、
SI4431CDY-T1-GE3数据手册PDF。