制造商型号： | DMN4800LSSQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) DMN4800LSSQ-13
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DMN4800LSSQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMN4800LSSQ-13 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN4800LSSQ-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.7nC @ 5V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
798pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.46W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存： 250
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.62905 | 6.63 |
| 10 | 5.634692 | 56.35 |
| 100 | 4.204711 | 420.47 |
| 500 | 3.303161 | 1651.58 |
| 1000 | 2.55254 | 2552.54 |
品牌其他型号
DMN4800LSSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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