制造商型号: | FDS4435BZ |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDS4435BZ
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FDS4435BZ 中文资料
数据手册PDF
FDS4435BZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.8 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDS4435BZ_NL
单位重量 130 mg
库存: 20124
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.473289 | 8.47 |
10 | 7.376747 | 73.77 |
100 | 5.108894 | 510.89 |
500 | 4.268294 | 2134.15 |
1000 | 3.632674 | 3632.67 |
品牌其他型号
FDS4435BZ品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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