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ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMN3B14 系列 30 V 0.08 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23

表面贴装型 N 通道 2.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3


立创商城:
N沟道 30V 2.9A


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the ZXMN3B14FTA power MOSFET from Diodes Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 3.5A SOT23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**N-CH MOS-FET 3,5A 30V SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3


ZXMN3B14FTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.50 A

漏源极电阻 140 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

输入电容 568 pF

栅电荷 6.70 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 568pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 9.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXMN3B14FTA引脚图与封装图
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在线购买ZXMN3B14FTA
型号 制造商 描述 购买
ZXMN3B14FTA Diodes 美台 ZXMN3B14 系列 30 V 0.08 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23 搜索库存
替代型号ZXMN3B14FTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXMN3B14FTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 N-Channel 30V 3.5A 140mΩ 568pF

当前型号

ZXMN3B14 系列 30 V 0.08 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23

当前型号

型号: PMV60EN,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23-3 N-Channel 30V 4.7A

功能相似

TO-236AB N-CH 30V 4.7A

ZXMN3B14FTA和PMV60EN,215的区别