制造商型号: | STL33N60DM2 |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP., |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ST(意法半导体) STL33N60DM2
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STL33N60DM2 中文资料
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STL33N60DM2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL33N60DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
140mOhm @ 10.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
43nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1870pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥60.312952 总价:¥60.31 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 60.312952 | 60.31 |
10 | 54.21028 | 542.10 |
100 | 44.415077 | 4441.51 |
500 | 37.809917 | 18904.96 |
1000 | 31.887827 | 31887.83 |
品牌其他型号
STL33N60DM2品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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