制造商型号: | IPDD60R190G7XTMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPDD60R190G7XTMA1
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IPDD60R190G7XTMA1 中文资料
数据手册PDF
IPDD60R190G7XTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 76 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R190G7 SP001632844
单位重量 761.550 mg
库存: 167
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 35.513048 | 35.51 |
10 | 29.830961 | 298.31 |
100 | 24.130182 | 2413.02 |
500 | 21.449383 | 10724.69 |
品牌其他型号
IPDD60R190G7XTMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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