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ROHM(罗姆) RQ3E150BNTB

ROHM(罗姆) RQ3E150BNTB
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

RQ3E150BNTB

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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RQ3E150BNTB 中文资料

数据手册PDF

RQ3E150BNTB 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 22 A

漏源电阻 3.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 45 nC

耗散功率 18 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 42 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 55 ns

典型接通延迟时间 11 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E150BN

单位重量 248.147 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥7.660735 总价:¥7.66

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 7.660735 7.66
10 6.534839 65.35
100 4.879656 487.97
500 3.834083 1917.04
1000 2.962848 2962.85
品牌其他型号
RQ3E150BNTB品牌厂家:ROHM ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购RQ3E150BNTB、查询RQ3E150BNTB代理商; RQ3E150BNTB价格批发咨询客服;这里拥有 RQ3E150BNTB中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 RQ3E150BNTB替代型号RQ3E150BNTB数据手册PDF