RQ3E150BNTB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3000pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
封装 PowerVDFN-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ3E150BNTB引脚图
RQ3E150BNTB封装图
RQ3E150BNTB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | HSMT N-CH 30V 15A | 搜索库存 |