制造商型号: | DMN3051LDM-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMN3051LDM-7
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DMN3051LDM-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3051LDM-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
DMN3051LDM-7 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.008195 | 3024.59 |
6000 | 0.956919 | 5741.51 |
9000 | 0.888599 | 7997.39 |
30000 | 0.868116 | 26043.48 |
75000 | 0.845987 | 63449.03 |
品牌其他型号
DMN3051LDM-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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