制造商型号： | SIHP7N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHP7N60E-GE3
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SIHP7N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP7N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 609 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP7N60E-BE3
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.229476 | 14.23 |
| 10 | 12.792227 | 127.92 |
| 25 | 12.067168 | 301.68 |
| 100 | 9.41219 | 941.22 |
| 250 | 9.170647 | 2292.66 |
品牌其他型号
SIHP7N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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