制造商型号: | SIHP4N80E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SIHP4N80E-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SIHP4N80E-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIHP4N80E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP4N80E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP4N80E-BE3
单位重量 2 g
库存: 983
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 24.464927 | 24.46 |
10 | 21.944298 | 219.44 |
25 | 20.698811 | 517.47 |
100 | 16.143145 | 1614.31 |
250 | 15.729218 | 3932.30 |
500 | 13.659584 | 6829.79 |
1000 | 11.58995 | 11589.95 |
2500 | 11.424379 | 28560.95 |
5000 | 10.596526 | 52982.63 |
品牌其他型号
SIHP4N80E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购SIHP4N80E-GE3、查询SIHP4N80E-GE3代理商; SIHP4N80E-GE3价格批发咨询客服;这里拥有
SIHP4N80E-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SIHP4N80E-GE3替代型号
、
SIHP4N80E-GE3数据手册PDF。