制造商型号: | SSM3J35MFV,L3F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) SSM3J35MFV,L3F
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SSM3J35MFV,L3F 中文资料
数据手册PDF
SSM3J35MFV,L3F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 77 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 251 ns
典型接通延迟时间 175 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
库存: 10
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.524054 | 1.52 |
10 | 1.127452 | 11.27 |
30 | 1.054583 | 31.64 |
100 | 0.981714 | 98.17 |
500 | 0.949312 | 474.66 |
品牌其他型号
SSM3J35MFV,L3F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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