制造商型号： | NTBS2D7N06M7 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTBS2D7N06M7
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NTBS2D7N06M7 中文资料
数据手册PDF
NTBS2D7N06M7 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 52 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 780
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 47.941372 | 47.94 |
| 10 | 43.011318 | 430.11 |
| 25 | 40.661203 | 1016.53 |
| 100 | 32.527232 | 3252.72 |
| 250 | 30.72004 | 7680.01 |
品牌其他型号
NTBS2D7N06M7品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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