制造商型号: | IPB033N10N5LFATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPB033N10N5LFATMA1
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IPB033N10N5LFATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPB033N10N5LFATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 102 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB033N10N5LF SP001503858
单位重量 2 g
IPB033N10N5LFATMA1 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥85.467394 总价:¥85.47 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 85.467394 | 85.47 |
10 | 76.754928 | 767.55 |
100 | 62.887193 | 6288.72 |
500 | 53.535024 | 26767.51 |
品牌其他型号
IPB033N10N5LFATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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