制造商型号: | SI4090DY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4090DY-T1-GE3
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SI4090DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4090DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 19.7 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4090DY-GE3
单位重量 750 mg
库存: 1250
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.796296 | 17.80 |
10 | 15.909172 | 159.09 |
100 | 12.402466 | 1240.25 |
500 | 10.245888 | 5122.94 |
1000 | 8.088954 | 8088.95 |
品牌其他型号
SI4090DY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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