制造商型号： | IMW120R060M1HXKSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | COOLSIC MOSFETS 1200V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IMW120R060M1HXKSA1
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IMW120R060M1HXKSA1 中文资料
数据手册PDF
IMW120R060M1HXKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 36 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW120R060M1H SP001808368
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 102.251987 | 102.25 |
| 10 | 93.95742 | 939.57 |
| 100 | 81.138025 | 8113.80 |
品牌其他型号
IMW120R060M1HXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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