制造商型号： | SQ2389ES-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CHAN 40V SO23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SQ2389ES-T1_GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SQ2389ES-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SQ2389ES-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ2389ES-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2389ES-T1_BE3
单位重量 8 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.371504 总价：￥9.37 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.371504 | 9.37 |
| 10 | 8.121971 | 81.22 |
| 100 | 5.621483 | 562.15 |
| 500 | 4.696828 | 2348.41 |
| 1000 | 3.99723 | 3997.23 |
品牌其他型号
SQ2389ES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQ2389ES-T1_GE3、查询SQ2389ES-T1_GE3代理商； SQ2389ES-T1_GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SQ2389ES-T1_GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SQ2389ES-T1_GE3替代型号
、
SQ2389ES-T1_GE3数据手册PDF。