制造商型号: | SSM6G18NU,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH + SBD V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6G18NU,LF
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SSM6G18NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6G18NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 112 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
库存: 6000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.807332 | 5.81 |
10 | 4.374032 | 43.74 |
25 | 3.944042 | 98.60 |
100 | 2.078284 | 207.83 |
250 | 2.05703 | 514.26 |
500 | 1.841789 | 920.89 |
1000 | 1.433299 | 1433.30 |
品牌其他型号
SSM6G18NU,LF品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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