制造商型号： | NVMFS5830NLT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NVMFS5830NLT1G
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NVMFS5830NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFS5830NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 185 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 113 nC
耗散功率 158 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
库存： 8
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.148682 | 24.15 |
品牌其他型号
NVMFS5830NLT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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