制造商型号： | SCT10N120 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ST(意法半导体) SCT10N120
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SCT10N120 中文资料
数据手册PDF
SCT10N120 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCT10N120
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
690mOhm @ 6A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
290pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 64.555178 | 64.56 |
| 10 | 58.294789 | 582.95 |
| 100 | 48.260822 | 4826.08 |
| 500 | 44.761726 | 22380.86 |
品牌其他型号
SCT10N120品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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