制造商型号: | RW1E014SNT2R |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RW1E014SNT2R
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RW1E014SNT2R 中文资料
数据手册PDF
RW1E014SNT2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1E014SN
单位重量 6 mg
库存: 7791
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.610466 | 4.61 |
10 | 3.214866 | 32.15 |
100 | 1.626125 | 162.61 |
500 | 1.326569 | 663.28 |
1000 | 0.984149 | 984.15 |
2000 | 0.828014 | 1656.03 |
品牌其他型号
RW1E014SNT2R品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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