制造商型号： | IPD60R2K0C6ATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V TO252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD60R2K0C6ATMA1
图像仅供参考
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IPD60R2K0C6ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD60R2K0C6ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 22.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K0C6 SP001117714
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.430073 总价：￥16075.18 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 6.430073 | 16075.18 |
品牌其他型号
IPD60R2K0C6ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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