制造商型号： | IPB65R065C7ATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH TO263-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPB65R065C7ATMA2
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IPB65R065C7ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPB65R065C7ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 138 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 171 W
通道模式 Enhancement
下降时间 7 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R065C7 SP002447554
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 32.962915 | 32962.92 |
| 2000 | 30.887489 | 61774.98 |
品牌其他型号
IPB65R065C7ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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