制造商型号： | ZVN4106FTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZVN4106FTA
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ZVN4106FTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN4106FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 150 mS
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 8 mg
库存： 13379
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.280765 | 7.28 |
| 10 | 6.205986 | 62.06 |
| 100 | 4.637732 | 463.77 |
| 500 | 3.644081 | 1822.04 |
| 1000 | 2.815808 | 2815.81 |
品牌其他型号
ZVN4106FTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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