制造商型号: | IRF200S234 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | TRENCH_MOSFETS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRF200S234
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IRF200S234 中文资料
数据手册PDF
IRF200S234 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 162 nC
耗散功率 417 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导(Min) 96 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF200S234 SP001593688
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.49425 | 19.49 |
10 | 17.133959 | 171.34 |
30 | 15.658778 | 469.76 |
100 | 14.150815 | 1415.08 |
500 | 11.561052 | 5780.53 |
品牌其他型号
IRF200S234品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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