制造商型号： | SIHD6N80AE-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET E SERIES DPAK TO-252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHD6N80AE-GE3
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SIHD6N80AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHD6N80AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 950 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.749602 总价：￥20248.81 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 6.749602 | 20248.81 |
| 6000 | 6.136001 | 36816.01 |
| 15000 | 5.852801 | 87792.01 |
品牌其他型号
SIHD6N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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