制造商型号: | DMN31D5UFZ-7B |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN31D5UFZ-7B
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DMN31D5UFZ-7B 中文资料
数据手册PDF
DMN31D5UFZ-7B 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 350 pC
耗散功率 393 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.9 ns
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
库存: 44185
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.13566 | 1.14 |
10 | 0.838424 | 8.38 |
30 | 0.783701 | 23.51 |
100 | 0.729121 | 72.91 |
500 | 0.704927 | 352.46 |
品牌其他型号
DMN31D5UFZ-7B品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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