制造商型号: | IPW65R110CFDFKSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPW65R110CFDFKSA1
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IPW65R110CFDFKSA1 中文资料
数据手册PDF
IPW65R110CFDFKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R110CFD SP000895232
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 63.067311 | 63.07 |
10 | 56.982244 | 569.82 |
100 | 47.176779 | 4717.68 |
500 | 44.172858 | 22086.43 |
品牌其他型号
IPW65R110CFDFKSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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