制造商型号: | DMN62D1LFD-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN62D1LFD-7
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DMN62D1LFD-7 中文资料
数据手册PDF
DMN62D1LFD-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 550 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.9 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
库存: 10800
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 1.396224 | 27.92 |
100 | 1.174896 | 117.49 |
300 | 0.764496 | 229.35 |
800 | 0.630432 | 504.35 |
3000 | 0.416016 | 1248.05 |
品牌其他型号
DMN62D1LFD-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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