制造商型号: | RSM002N06T2L |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RSM002N06T2L
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RSM002N06T2L 中文资料
数据手册PDF
RSM002N06T2L 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSM002N06
单位重量 1.500 mg
库存: 27787
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.124089 | 5.12 |
10 | 3.611857 | 36.12 |
100 | 1.822176 | 182.22 |
500 | 1.486986 | 743.49 |
1000 | 1.103179 | 1103.18 |
2000 | 0.928211 | 1856.42 |
品牌其他型号
RSM002N06T2L品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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