制造商型号: | SI7317DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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SILICONIX(威世) SI7317DN-T1-GE3
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SI7317DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7317DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 19.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 3.451041 | 10353.12 |
6000 | 3.137278 | 18823.67 |
15000 | 2.99248 | 44887.20 |
品牌其他型号
SI7317DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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