制造商型号: | RQ6C050UNTR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RQ6C050UNTR
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RQ6C050UNTR 中文资料
数据手册PDF
RQ6C050UNTR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6C050UN
库存: 40958
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.20834 | 6.21 |
10 | 5.301924 | 53.02 |
100 | 3.68403 | 368.40 |
500 | 2.876696 | 1438.35 |
1000 | 2.338186 | 2338.19 |
品牌其他型号
RQ6C050UNTR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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