制造商型号： | IRFD9110PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFD9110PBF
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IRFD9110PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFD9110PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导（Min） 0.6 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 894.062 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.37178 | 11.37 |
| 10 | 10.166098 | 101.66 |
| 100 | 7.923938 | 792.39 |
| 500 | 6.545762 | 3272.88 |
| 1000 | 5.167652 | 5167.65 |
品牌其他型号
IRFD9110PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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