制造商型号: | SI7810DN-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI7810DN-T1-E3
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SI7810DN-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7810DN-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7810DN-T1
单位重量 1 g
库存: 6088
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.015463 | 18.02 |
10 | 14.747832 | 147.48 |
100 | 11.471502 | 1147.15 |
500 | 9.723132 | 4861.57 |
1000 | 7.920592 | 7920.59 |
品牌其他型号
SI7810DN-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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