锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

数据手册.pdf

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.052Ω; ID 3.4A; PowerPAK 1212-8; PD 1.5W

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


贸泽:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N沟道 100 V 0.062 Ohm 表面贴装 TrenchFET 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7810DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 3.4 A, 100 V, 84 mohm, 10 V, 4.5 V


SI7810DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.084 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

上升时间 15 ns

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7810DN-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7810DN-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI7810DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.052Ω; ID 3.4A; PowerPAK 1212-8; PD 1.5W 搜索库存