制造商型号： | RHU003N03FRAT106 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RHU003N03FRAT106
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RHU003N03FRAT106 中文资料
数据手册PDF
RHU003N03FRAT106 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RHU003N03FRA
库存： 2939
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.815682 | 4.82 |
品牌其他型号
RHU003N03FRAT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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