制造商型号： | BSN20Q-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) BSN20Q-7
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BSN20Q-7 中文资料
数据手册PDF
BSN20Q-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 800 pC
耗散功率 920 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.3 ns
上升时间 2.99 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.45 ns
典型接通延迟时间 2.93 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 29001
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.18082 | 5.18 |
| 10 | 3.63891 | 36.39 |
| 100 | 1.836725 | 183.67 |
| 500 | 1.498492 | 749.25 |
| 1000 | 1.11178 | 1111.78 |
品牌其他型号
BSN20Q-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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