制造商型号: | TK17E80W,S1X |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK17E80W,S1X
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TK17E80W,S1X 中文资料
数据手册PDF
TK17E80W,S1X 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 58 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 32.25849 | 32.26 |
10 | 27.062099 | 270.62 |
100 | 21.892713 | 2189.27 |
500 | 19.460189 | 9730.09 |
1000 | 16.662751 | 16662.75 |
品牌其他型号
TK17E80W,S1X品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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