制造商型号: | STD150N3LLH6 |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ST(意法半导体) STD150N3LLH6
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STD150N3LLH6 中文资料
数据手册PDF
STD150N3LLH6 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD150N3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.8mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
29nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3700pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥20.69634 总价:¥20.70 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 20.69634 | 20.70 |
10 | 18.637002 | 186.37 |
25 | 17.582622 | 439.57 |
100 | 13.714157 | 1371.42 |
250 | 13.362216 | 3340.55 |
500 | 11.603953 | 5801.98 |
1000 | 9.845692 | 9845.69 |
品牌其他型号
STD150N3LLH6品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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