制造商型号： | ZXMN6A07FQTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN6A07FQTA
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ZXMN6A07FQTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A07FQTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 2.3 S
上升时间 1.4 ns
典型关闭延迟时间 4.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 1745
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.179182 | 9.18 |
| 10 | 6.517218 | 65.17 |
| 100 | 4.438136 | 443.81 |
| 500 | 3.279416 | 1639.71 |
| 1000 | 2.945447 | 2945.45 |
品牌其他型号
ZXMN6A07FQTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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