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INFINEON(英飞凌) ISS17EP06LMXTSA1

INFINEON(英飞凌) ISS17EP06LMXTSA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

ISS17EP06LMXTSA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 60V SOT23-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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ISS17EP06LMXTSA1 中文资料

ISS17EP06LMXTSA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 300 mA

漏源电阻 1.7 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 1.79 nC

耗散功率 360 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

正向跨导(Min) 0.64 S

上升时间 3 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 27 ns

典型接通延迟时间 2 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 ISS17EP06LM SP004987276

单位重量 8 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥0.88451 总价:¥0.88

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 0.88451 0.88
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