制造商型号: | ZXMN6A07FQTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) ZXMN6A07FQTA
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ZXMN6A07FQTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A07FQTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 1.4 ns
典型关闭延迟时间 4.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.239867 | 3719.60 |
6000 | 1.176818 | 7060.91 |
9000 | 1.092729 | 9834.56 |
30000 | 1.067509 | 32025.27 |
品牌其他型号
ZXMN6A07FQTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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